广工大物理与光电工程学院丨 科学技术成果分享

广工大物理与光电工程学院丨 科学技术成果分享

（一）基于LD/LED光源曝光的无掩膜数字光刻技术

项目负责人：周金运

【成果简介】

高精度、高效低成本和环保的LD/LED无掩模数字光刻技术，解决照明模组和成像模组的优化组合结构配置等问题。采用新的技术方法，开发用于高端电子产品PCB、FPD和MOEMS等光刻生产的的新一代光刻机。

【核心技术】

光刻精度介于普通曝光机和进口高端直写光刻机之间、进行大面积和快速光刻应用的光学模组模块化技术。

独特的光密度均化和光束整形技术获得UV均匀光而形成光源照明模组；利用娓眼点阵成像技术构建两个物镜组，消除格榭效应和获得大面积成像和快速曝光而形成投影光学成像模组。

【关键科学问题】

从根本上着力解决无掩模数字光刻在工业应用中存在的DMD微镜阵列因衍射而使成像质量降低、二进制开关因不稳定而使光刻难以均匀和足量曝光的两大科学技术难题。

光源照明模组、DMD和投影系统光学成像模组相互关联融合，建立新型光学引擎，改善成像质量和加强曝光量及其均匀性。建立新型光学引擎，改善成像质量和加强曝光量及其均匀性，建立耦合匹K、物像共轭、部分相干光叠加的新塑成像理论。

（二）压电传感器、忆阻器材料与生物医学材料及应用

项目负责人：唐新桂

【核心技术】

压电传感器在检测工程网络节点连接与实时数据传输,解决实现断点、缺陷形貌实时呈现问题。

记忆阻器可以根据需要让电流往任意一个方向流动，解决“实现神经网络的自适应功能”的问题，实现像人脑一样的学习功能。

具有优异磁性能的纳米粒子的晶粒尺寸大小选择、表面修饰物筛选与修饰方法选择，有效提高比表面积携带更多治疗药物。

【关键科学问题】

多层复杂线路结构、缺陷与信息传输现状再现问题口忆阻器特性的物理机制问题；纳米磁性粒子表面修饰使之溶于溶剂问题。

（三）光电半导体材料生长与器件研发

项目负责人：简基康

【核心技术】

1、发展出新的合成氮化物功能材料的普适方法，实现了多种氮化物的有效合成，取得了相关技术专利。

2、开发了生长氮化晶体的新型助溶剂；发展出生长1-V1光电半导体低维材料的新普方法。

3、通过掺杂在多种光电半导体中引入了铁磁性质，并观察到了新的磁性行为。

4.构造了半导体纳米结构与石墨烯、碳纳米管符合复合材料的光电器件。

【关键科学问题】

1、材料的可控生长与物性调控。

2、高性能器件的设计构造。